12.09.2018 21:56:56
Источник: АО «НИИЭТ»
Изделия выполнены по технологии НЕМТ (High Electron Mobility Transistor) и обладают выходной мощностью 100 Вт в непрерывном режиме при напряжении питания 28 В. Предназначены для работы на частотах до 3 ГГц. Транзисторы обладают высокой плотностью мощности, высоким уровнем КПД и надежности. Благодаря своим конструктивным и технологическим особенностям могут применятся в условиях повышенной радиации, например, в космосе. Также применение ПП9139Б1 позволит существенно уменьшить габариты и вес усилительных модулей и аппаратуры в целом.
В перспективе АО «НИИЭТ» планирует переход от мелкосерийного выпуска к полноценному производству, при условии соответствующей заинтересованности предприятий-потребителей. Приборы доступны для тестирования.
По словам начальника отдела маркетинга и сбыта Сергея Смешнова: «В настоящее время GaN-транзисторы являются одними из самых перспективных изделий, для изделий радиопередающей аппаратуры. Мы уверены, что новая разработка, выполненная на современном технологическом уровне и сравнимая с зарубежными аналогами, будет пользоваться большим спросом у наших потребителей».
Подробнее: https://niiet.ru/
((__lxGc__=window.__lxGc__||{'s':{},'b':0})['s']['_213621']=__lxGc__['s']['_213621']||{'b':{}})['b']['_651743']={'i':__lxGc__.b++}; Компания ZALA AERO разработала новое портативное устройство РЭБ Николай UA9UDX silent key 13 сентября 2018 (window.smiq = window.smiq || []).push({});