ОБЪЯВЛЕНИЯ
Продам Высоковольтные MOSFETы
Продам Высоковольтные MOSFETы
Продам Высоковольтные MOSFETы
Продам Высоковольтные MOSFETы

Продам Высоковольтные MOSFETы

Размещено: 23.07.2022 в 23:22
Просмотров всего 731, сегодня 1

Информация об авторе

Дата регистрации: 08.12.2019 20:21:43
Последний визит на сайт: 17.08.2022 22:17:25
Автор: Валерий (частное лицо)
Пользователь провел на сайте 2 года, 8 месяцев и 9 дней Город: Казань
Адрес в интернете: Нет ссылки

Новые мощные, высоковольтные полевые транзисторы.
Для импульсных сетевых блоков питания, источников бесперебойного питания и преобразователей напряжения.
Наименование Кол-во Цена за штуку
BUZ80 1шт 140 руб.
BUZ90 4шт 140 руб.
BUZ90A 8шт 90 руб.
IRF830PBF 2шт 270 руб.
IRFBE20PBF 3шт 240 руб.
IRFUC20PBF 3шт 80 руб.
Отправлю почтой или доставкой в регионы России и всего мира за счёт покупателя после предварительной оплаты.

Ниже приведены параметры перечисленных транзисторов:
Параметры BUZ90 и BUZ90A
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.. АBUZ90 4. 5, BUZ90A 4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс., В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) BUZ90 1. 6 ом, BUZ90A 2 ом при 2. 8a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.. Вт 75
Корпус TO220
Пр-во: Infineon

Описание: IRF830 N-канал 500В 4, 5А, корпус TO-220AB,
представляет собой N-канальный полевой МОП-транзистор с импульсным питанием 500 В с низким зарядом затвора Qg, с простым управлением. Он работает на высокой частоте с жестким переключением. Подходит для SMPS, источников бесперебойного питания и высокоскоростного переключения питания.
• Динамический рейтинг dV / dt
• Рейтинг повторяющихся лавин
• Рабочая температура 150 ° C
• Простота параллельного подключения
• Простота требований к приводу

Технические параметры:
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.. А 4. 5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс., В 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1. 5 Ом/2. 7А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.. Вт 74
Крутизна характеристики, S 2. 5
Корпус TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе 2…4

Транзисторы IRFBE20PBF Описание:
N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В,
Изготовитель International Rectifier (Infineon Technologies Americas Corp. )
Технические параметры:
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.. А 1. 8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс., В 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 6. 5 Ом/1. 1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.. Вт 54
Крутизна характеристики, S 0. 8
Корпус TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе 4
Вес, г 2. 5

Транзисторы IRFUC20PBF
N-канал 600В 2А, корпус I-PAK(TO251)
Описание:
MOSFET Transistor
Конфигурация и полярность N
Максимальное напряжение сток-исток 600 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2 А
Сопротивление открытого канала (мин) 4. 4 Ом

Технические параметры:
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.. А 2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс., В 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 4. 4 Ом/1. 2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.. Вт 42
Крутизна характеристики, S 1. 4

Номер объявления: 377452
Написать продавцу
Пожаловаться
Поделиться
Рейтинг: Валерий
(0)