/reference/

Справочник по микросхемам памяти

 
 
Первая страница
Начало
Следующая страница
Справочник  по  микросхемам памяти

Расположение выводов микросхем РПЗУ


Таблица функциональных состояний для 558РР2
  Входы   Выходы Режим работы
A0...A10 -CE -OE Vpp D0...D7   
  L/H  H  H  H  L/H Запись
   X  H  L  H   Z Стирание
  L/H  L  L  L  Out Считывание
  L/H  L  L  H  L/H Запрет записи
   X  L  H  H   Z Запрет стирания
   X  L  H  L   Z Запрет считывания
   X  H  L  L   Z Запрет считывания

В незапрограммированной микросхеме хранятся единицы.
Напряжение программирования 25 В.
Таблица функциональных состояний для 573РР2
  Входы   Выходы  Режим работы
A0...A10  -CE  -OE Vpp D0...D7   
  L/H   L   H 22v  L/H Запись
  L/H   L   L  L  Out Считывание
   X   H   X  L   Z Невыбор
  L/H   L   H 22v   H Стирание побайтовое
   X   L  12v 22v   X Стирание общее

В незапрограммированной микросхеме хранятся единицы


Таблица функциональных состояний для 558РР4
  Входы   Выходы  Режим работы
A0...A12  -CE  -OE  -WR Vpp D0...D7  
  L/H   L   H   L  H  L/H Запись
   X   L   H   L  H   Z Стирание
  L/H   L   L   H  L  Out Считывание
   X   X   H   X  H   Z Запрет записи
   X   L   H   H  H   Z Запрет записи
   X   H   H   L  H   Z Запрет записи
   X   X   H   H  H   Z Запрет стирания
   X   H   H   X  H   Z Запрет стирания
   X   L   H   H  L   Z Запрет считывания

В незапрограммированной микросхеме хранятся единицы.
Напряжение программирования 16 В.
Vpp(L)= 5 v.

Козак Виктор Романович, Новосибирск, 17-окт-2003г.
email: kozak (at) inp.nsk.su