Справочник по микросхемам памяти

Таблица функциональных состояний для 558РР2   Входы   Выходы Режим работы A0...A10 -CE -OE Vpp D0...D7      L/H  H  H  H  L/H Запись    X  H  L  H   Z Стирание   L/H  L  L  L  Out Считывание   L/H  L  L  H  L/H Запрет записи    X  L  H  H   Z Запрет стирания    X  L  H  L   Z Запрет считывания    X  H  L  L   Z Запрет считывания В незапрограммированной микросхеме хранятся единицы. Напряжение программирования 25 В.

Таблица функциональных состояний для 573РР2   Входы   Выходы  Режим работы A0...A10  -CE  -OE Vpp D0...D7      L/H   L   H 22v  L/H Запись   L/H   L   L  L  Out Считывание    X   H   X  L   Z Невыбор   L/H   L   H 22v   H Стирание побайтовое    X   L  12v 22v   X Стирание общее В незапрограммированной микросхеме хранятся единицы

Таблица функциональных состояний для 558РР4

Входы					Выходы	Режим работы
A0...A12	-CE	-OE	-WR	Vpp	D0...D7
L/H	L	H	L	H	L/H	Запись
X	L	H	L	H	Z	Стирание
L/H	L	L	H	L	Out	Считывание
X	X	H	X	H	Z	Запрет записи
X	L	H	H	H	Z	Запрет записи
X	H	H	L	H	Z	Запрет записи
X	X	H	H	H	Z	Запрет стирания
X	H	H	X	H	Z	Запрет стирания
X	L	H	H	L	Z	Запрет считывания

В незапрограммированной микросхеме хранятся единицы.
Напряжение программирования 16 В.
Vpp(L)= 5 v.