УМЗЧ Иштвана Урбана на четырех парах HEXFET

УМЗЧ Иштвана Урбана (рис. 2.3) построен на четырех парах полевых транзисторов HEXFET. Классическая схемотехника:

• с токовым зеркалом (Т2, ТЗ) в качестве нагрузки первого дифкаска-да (Т4, Т5);
• с активными генераторами тока (Т13, Т8);
• с каскодным усилителем напряжения (Тб, Т7).

Усилитель дополнен оригинальным каскадом на ОУ IC1, который для звуковых частот является повторителем напряжения (100%-ная местная ООС через С4). Поэтому он не входит в петлю общей ООС УМЗЧ, но, в то же время, через резистор R15 замыкает петлю ООС по постоянному току и зорко следит за нулем на выходе УМЗЧ.

На ІС2, терморезисторе R30 и транзисторах Т1, Т14 выполнена схема автоматического приглушения (MUTING), срабатывающая при перегреве выходных транзисторов. На нагрузке 4 Ом усилитель развивает постоянную синусоидальную мощность 225 Вт и пиковую 300 Вт при коэффициенте гармоник не более 0,1% во всем звуковом диапазоне частот.

Рис. 2.3. Схема УМЗЧ Иштвана Урбана

Источник: Сухов Н. Е. - Лучшие конструкции УНЧ и сабвуферов своими руками.

Журнал Радиохобби - radiohobby.QRZ.ru

Источник: Radiostorage.net/