| Навигатор: QRZ.RU > Радиолюбительская справочники > Справочник по отечественным микросхемам |
Микросхема представляет собой схему ШИМ-контроллера и предназначена для
управления импульсными источниками вторичного электропитания, работающими на
частотох до 200 кГц. ИС обеспечивает минимальное время прохождения сигнала
через компараторы и внутренние логические схемы управления. Контроллер
работает режимах широтно-импульсной модуляции (ШИМ) по напряжению или току.
Имеет одно или двухтактное управление мощными биполярными транзисторами,
пару выходных транзисторов с открытыми выводами коллектора и эмиттера на
токи до 0,2 А, два усилителя ошибки, управление длительностью паузы,
синхронизацию от внешнего сигнала, термокомпенсированный источник опорного
напряжения, запрет одного из выходов внешним сигналом, защитный стабилитрон
(39 В). ИС содержит: источник опорного напряжения, генератор пилообразного
напряжения, частота которого определяется внешними R и C, схему переключения
"однотактный/двухтактный" режим, выходные ключи, коммутирующие втекающий и
вытекающий токи, два операционных усилителя, на один изкоторых может
подаваться сигнал рассоглосования по выходному напряжению, а на другой по
току нагрузки, ШИМ компаратор и компаратор паузы, сигнал с которых через
схему ИЛИ стробирует делитель частоты на 2 и схему управления выходными
ключами. По сравнению с КР1114ЕУ4 ИС дополнительно обеспечивает возможность
управлением делителем частоты на 2, а также содержит стабилитрон для защиты
от бросков напряжения на шине питания.
Имеет пластмассовый корпус с 18 выводами.
Назначение выводов: 1 - неинвертирующий вход ОУ1; 2 - инвертирующий вход
ОУ1; 3 - общий выход ОУ, неинвертирующий вход ШИМ-компаратора; 4 - вход
управления длительностью паузы; 5 - подключение времязадающего конденсатора,
неинвертирующие входы ШИМ-компаратора и компаратора паузы; 6 - подключение
времязадающего резистора; 7 - общий; 8 - коллектор выходного транзистора 1;
9 - эмиттер выходного транзистора 1; 10 - эмиттер выходного транзистора 2;
11 - коллектор выходного транзистора 2; 12 - напряжение питания; 13 -
управление делителем частоты на 2; 14 - переключение однотактный/двухтактный
режим; 15 - анод защитного диода; 16 - выход источника опорного напряжения;
17 - инвертирующий вход ОУ2; 18 - неинвертирующий вход ОУ2.
| 1 | Выходное напряжение при Iвых=1 мА | 4,75...5,25 |
| 2 | Ток короткого замыкания при Uоп=0, Rн=1 Ом | -50...-10 мА |
| 3 | Нестабильность по напряжению при Uп=7...40 В | не более 0,02 %/В |
| 4 | Нестабильность по току при Iвых=1...10 мА | не более 0,04 %/В |
| 5 | Температурный коэффициент напряжения | не более 0,01 %/ ° C |
| 1 | Напряжение насыщения с общим эмиттером при Uэ=0, Iк=0,2 А эмиттерный повторитель при Uк=15 В, Iэ=-0,2 А |
не более 1,5 В не более 2,5 В |
| 2 | Ток утечки коллектора при Uп=40 В, Uкэ=40 В | не более 100 мкА |
| 3 | Ток утечки эмиттера при Uп=40 В, Uк=40 В Uэ=0 | не более |-150| мкА |
| 4 | Входной ток низкого уровня по выводу 14 | 10 мкА |
| 5 | Входной ток высокого уровня по выводу 14 | не более 3,5 мА |
| 6 | Время нарастания сигнала | не более 100 нс |
| 7 | Время спада сигнала (эмиттерный повторитель) | не более 200 нс |
| 1 | Диапазон синфазных входных напряжений при Uп=7...40 В | -0,3...(Uп-2) В |
| 2 | Напряжение смещения нуля при U3=2,5 В | не более 2 мВ |
| 3 | Входной ток при U3=2,5 В | не более 1 мА |
| 4 | Разность входных токов при U3=2,5 В | не более 0,25 мА |
| 5 | Выходной ток низкого уровня по выводу 3 при U3=0,7 В | 0,7 мА |
| 6 | Выходной ток высокого уровня по выводу 3 при U3=0,7 В | -4 мА |
| 7 | Коэффициент усиления напряжения при Uвых=0,5...3,5 В, Rн=2 кОм | не менее 70 дБ |
| 8 | Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений Uп=40 В | не менее 65 дБ |
| 9 | Коэффициент влияния нестабильности источника питания при Uп=7...40 В, Uвых=2 В, Rн=2 кОм | 100 дБ |
| 10 | Частота единичного усиления при Uвых=0,5...3,5 В, Rн=2 кОм | 350 МГц |
| 1 | Входное напряжение по выводу 3 | не более 4,5 В |
| 2 | Входной ток низкого уровня по выводу 3 при U3=0,7 В | 0,7 мкА |
| 1 | Входное пороговое напряжение | не более 3,3 В |
| 2 | Входной ток по выводу 4 при U4=0...5,25 В | не более |-10| мкА |
| 3 | Отношение максимальной длительности выходного импульса к периоду при U4=0, С=0, R=12 кОм | 45...50 % |
| 1 | Частота генерирования при C=1 пФ, R=30 кОм | 40 кГц |
| 2 | Нестабильность частоты по напряжению при Uп=7...40 В | 0,03 %/В |
| 3 | Температурный коэффициент частоты | не более 0,03 %/ ° C |
| 1 | Входной ток низкого уровня по выводу 13 при U13=0,4 В | не более |-200| мкА |
| 2 | Входной ток высокого уровня по выводу 13 при U13=2,4 В | не более 200 мкА |
| 1 | Напряжение пробоя при Iст=2 мА | 39 В |
| 2 | Входной ток при U15=1 В | 0,3 мА |
| 1 | Ток потребления в состоянии покоя при Uп=15 В, U6=Uоп при Uп=40 В, U6=Uоп |
не более 10 мА не более 15 мА |
| 2 | Средний ток потребления при Uп=15 В, U4=2 В, C=0,01 мкФ, R=12 кОм | 7 мА |
| 1 | Напряжение питания | 7...40 В |
| 2 | Входное коммутироемое напряжение | не более 40 В |
| 3 | Входное напряжение усилителя ошибки | -0,3...(Uп-2) В |
| 4 | Коммутируемый ток | не более 0,2 А |
| 5 | Входной ток высокого уровня по выводу 3 | не более 0,3 мА |
| 6 | Выходной ток по выводу 16 | не более 10 мА |
| 7 | Рассеиваемая мощность | не более 1 Вт |
| 8 | Частота генерирования 1...200 кГц | не более 1 Вт |
| 9 | Времязадающий резистор R | 1,8...500 кОм |
| 10 | Времязадающий конденсатор C | 0,00047...10 мкФ |
| 11 | Температура кристалла | не более 150 ° C |
| 12 | Температура окружающей среды | 0...+70 ° C |
TL495
Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 8./А. В. Нефедов. - М.:ИП РадиоСофт, 1998г. - 640с.:ил.
Отечественные микросхемы и зарубежные аналоги Справочник. Перельман Б.Л.,Шевелев В.И. "НТЦ Микротех", 1998г.,376 с. - ISBN-5-85823-006-7
| Навигатор: QRZ.RU > Радиолюбительская справочники > Справочник по отечественным микросхемам |