/reference/

Параметры интегральных микросхем К153УД1А, К153УД101А

Навигатор: QRZ.RU > Радиолюбительская справочники > Справочник по отечественным микросхемам

Корпус ИМС К153УД1А
Корпус ИМС К153УД101А
Условное графическое обозначение ИМС К153УД1А, К153УД101А
Схема инвертирующего усилителя на ИМС К153УД1А, К153УД101А.
Схема компаратора напряжения на ИМС К153УД1А, К153УД101А
Схема генератора прямоугольных импульсов на ИМС К153УД1А, К153УД101А.
Схема дифференциатора на ИМС К153УД1А, К153УД101А.
Электрические параметры
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Общие рекомендации по применению
Зарубежные аналоги
Литература


Микросхемы представляют собой операционные усилители средней точности, с выходным напряжением plus minus 10 В. Предназначены в основном для работы на относительно невысоких частотах. Для обеспечения достаточно высокого входного сопротивления первый дифференциальный каскад работает в режиме малых коллекторных токов, в результате чего паразитные и корректирующие емкости ограничивают выходное напряжение на высокой частоте, неустойчивость работы устраняется введением внешних цепей коррекции. Содержат 90 интегральных элементов. Корпус К153УД1А типа 301.8-2, К153УД101А - типа 301.8-1 , масса не более 1,5 г.



Корпус ИМС К153УД1А

301.8-2 package view



















Корпус ИМС К153УД101А

3101.8-1 package view



















Условное графическое обозначение ИМС К153УД1А, К153УД101А

Conditional graphic designation K153UD1A

1,8 - частотная коррекция I;
2 - инвертирующий вход;
3 - неинвертирующий вход;
4 - напряжение питания (-Uп);
5 - частотная коррекция II;
6 - выход;
7 - напряжение питание (+Uп);





Схема инвертирующего усилителя на К153УД1А, К153УД101А.
Коэффициент усиления изменяется с помощью резисторов R1 и R3


The scheme of the inverting amplifier on K153UD1A

Схема компаратора напряжения на ИМС К153УД1А, К153УД101А

The scheme of the comparator of a voltage on K153UD1A

Схема генератора прямоугольных импульсов на К153УД1А, К153УД101А. Период генерации определяется элементами R1, R2, R4 и C1

The scheme of the generator of rectanqular pulses on K153UD1A

Схема дифференциатора на К153УД1А, К153УД101А. Постоянная времени определяется элементами R1 и С1

The scheme of the differentiation on K153UD1A

Электрические параметры

1 Номинальное напряжение питания plus minus 15 Вplus minus 10 %
2 Максимальное выходное напряжение
при Uп= plus minus 15 В, Uвх= plus minus 0,15 В, Rн=2 кОм
more or equally |plus minus 10| В
3 Напряжение смещения нуля при Uп= plus minus 16,5 В, Rн more or equally 10 кОм less or equally 7,5 мВ
4 Входной ток при Uп= plus minus 16,5 В, Rн more or equally 10 кОм less or equally 1500 нА
5 Средний входной ток при Uп= plus minus 16,5 В, Rн mor or equally 10 кОм less or equally 2000 нА
6 Разность входных токов при Uп=16,5 В, Rн more or equally 10 кОм less or equally 500 нА
7 Ток потребления при Uп= plus minus 16,5 В, Rн more or equally 10 кОм less or equally 6 мА
8 Коэффициент усиления напряжения при Uп= plus minus 15 В, Rн=2 кОм, f=50 Гц more or equally 20000
9 Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений при Uп= plus minus 15 В,
Rн more or equally 10 кОм, Uвх=8 В
more or equally 65 дБ
10 Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля less or equally 200 мкВ/В
11 Скорость нарастания выходного напряжения 0,2 В/мкс
12 Время установления выходного напряжения 0,3 мкс
13 Частота единичного усиления 1 МГц
14 Входное сопротивление 260 кОм
15 Выходное сопротивление 150 Ом


Предельно допустимые режимы эксплуатации

1 Напряжение питания
      в предельном режиме
plus minus (13,5...16,5) В
plus minus (8,1...16,5) В
2 Входное напряжение
      в предельном режиме
less or equally plus minus 4,5 В
plus minus 5 В
3 Синфазные входные напряжения при Uп= plus minus 16,5 В less or equally plus minus 8 В
4 Сопротивление нагрузки more or equally 2 кОм
5 Рассеиваемая мощность
      в предельном режиме
less or equally 450 мВт,
less or equally 500 мВт
6 Статический потенциал 100 В
7 Температура окружающей среды -45...+85 ° C


Общие рекомендации по применению

Максимальная температура пайки микросхем (270 scheme 10) ° C, расстояние от корпуса до места пайки не менее 1,5 мм, продолжительность пайки не более 3 с.Допускается не более трех перепаек при проведении монтажных операций.



Зарубежные аналоги

µ A709



Литература

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:ИП РадиоСофт, 1999г. - 640с.:ил.



Навигатор: QRZ.RU > Радиолюбительская справочники > Справочник по отечественным микросхемам