К159НТ1А-Е, КР159НТ1А-Е - матрица из двух n-p-n транзисторов

Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей). Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,3 гр и типа 201.14-1, масса не более 1,0 гр.

Корпус ИМС К159НТ1А-Е

Корпус ИМС КР159НТ1А-Е

Электрическая схема

1,8 - свободные;
2 - коллектор транзистора VT1;
3 - база транзистора VT1;
4 - эмиттер транзистора VT1;
5 - эмиттер транзистора VT2;
6 - база транзистора VT2;
7 - коллектор транзистора VT2;