/reference/

К159НТ1А-Е, КР159НТ1А-Е - матрица из двух n-p-n транзисторов

Навигатор: QRZ.RU > Радиолюбительская справочники > Справочник по отечественным микросхемам

Корпус ИМС К159НТ1А-Е
Корпус ИМС КР159НТ1А-Е
Электрическая схема
Электрические параметры
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Зарубежные аналоги
Литература


Микросхемы представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей). Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,3 гр и типа 201.14-1, масса не более 1,0 гр.

Корпус ИМС К159НТ1А-Е

301.8-2 package view



















Корпус ИМС КР159НТ1А-Е

201.14-1 package view



















Электрическая схема

Conditional graphic designation 1,8 - свободные;
2 - коллектор транзистора VT1;
3 - база транзистора VT1;
4 - эмиттер транзистора VT1;
5 - эмиттер транзистора VT2;
6 - база транзистора VT2;
7 - коллектор транзистора VT2;





Электрические параметры

1 Разность напряжений эмиттер-база транзисторов
    159НТ1А-В
    159НТ1Г-Е
 
не более 3 мВ
не более 15 мВ
2 Прямое падение напряжения эмиттер-база при Iэ=1 мА 0,55...0,75 В
3 Обратный ток коллектор-база не более 200 нА
4 Обратный ток эмиттер-база не более 500 нА
5 Ток утечки между транзисторами VT1 и VT2 при U=20 В не более 20 нА
6 Коэффициент усиления по току при UКБ=5 В, IЭ=1 мА
    159НТ1А,Г
    159НТ1Б,Д
    159НТ1В,Е
 
20...80
60...180
более 80
7 Емкость эмиттера на частоте 10 мГц не более 5 пФ
8 Емкость коллектора на частоте 10 мГц не более 4 пФ


Предельно допустимые режимы эксплуатации

1 Напряжение коллектор-база 20 В
2 Напряжение эмиттер-база 4 В
3 Напряжение между транзисторами 20 В
4 Ток коллектора постоянный 10 мА
5 Ток коллектора импульсный tи=30 мкс 40 мА
6 Рассеиваемая мощность 50 мВт


Зарубежные аналоги

2N4042-2N4045



Литература

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:ИП РадиоСофт, 1999г. - 640с.:ил.



Навигатор: QRZ.RU > Радиолюбительская справочники > Справочник по отечественным микросхемам