/reference/

Параметры интегральной микросхемы К174УН5

Навигатор: QRZ.RU > Радиолюбительская справочники > Справочник по отечественным микросхемам

Корпуса ИМС К174УН5
Принципиальная схема ИМС К174УН5
Типовая схема включения ИМС К174УН5
Электрические параметры
Предельно допустимые режимы эксплуатации
Общие рекомендации по применению
Литература


        Микросхема представляет собой усилитель мощности с номинальной выходной мощностью 2 Вт при нагрузке 4 Ом для работы в звуковых трактах аппаратуры. Содержит 42 интегральных элемента. Микросхема конструктивно оформлена в корпусе типа 238.12-1 и второй вариант приведен на рисунке, масса не более 2 гр.

Корпуса ИМС К174УН5

 238.12-1 type package view 1,12 - общий
2 - выход
4 - напряжение питания
5,8 - фильтр
6 - вход 2
7 - вход 1
9,11 - коррекция
 Another package view for K174UN5 IC 33,37 - общий
29 - выход
25 - напряжение питания
2,810 - фильтр
12 - вход 2
14 - вход 1
6,22 - коррекция


Принципиальная схема ИМС К174УН5

 K174UN5 principial scheme

Типовая схема включения ИМС К174УН5

 K174UN5 application scheme

Электрические параметры

  1     Номинальное напряжение питания   12 В ± 10 %
  2     Ток потребления при Uп = 12 В   30 мА
  3     Коэффициент усиления при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц   80 ... 120
  4
 
  Нестабильность коэффициента усиления напряжения  
  при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц не более
 
  ± 20 %
  5
 
  Коэффициент нелинейных искажений при
  Uп = 12 В, fвх = 1 кГц, Pвых = 2 Вт
 
  1,0 %
  6     Входное сопротивление при Uп = 12 В, fвх = 1 кГц   10 кОм
  7
 
  Номинальная мощность отдаваемая в нагрузку
  Rн = 4 Ома при Uп = 12 В
 
  2,0 Вт
  8     Диапазон рабочих частот по уровню 3 дБ   30 ... 20 000 Гц  


Предельно допустимые режимы эксплуатации

  1     Напряжение питания   13,2 В
  2     Максимальное напряжение синфазных сигналов   5,5 В
  3     Максимальная амплитуда выходного напряжения   1,5 В
  4     Амплитуда тока в нагрузке разового сигнала   1,45 А
  5
 
  Максимальная длительность выходного импульса
при скважности 3
  30 мС
 
  6     Активное сопротивление нагрузки   3,2 Ом
  7     Температура кристалла   +125 °С
  8
 
 
  Тепловое сопротивление:
кристалл-корпус
кристалл-среда
 
  20 °С/Вт
  100 °С/Вт
  9     Температура окружающей среды   -25 ... +55 °С


Общие рекомендации по применению

        Не допускается эксплуатация микросхемы в режиме, при котором два параметра имеют предельно допустимые значения.

        При эксплуатации микросхемы должна быть предусмотрена ее защита от случайного увеличения напряжения питания. Эксплуатация микросхемы допускается только с применением теплоотвода.

        При проведении монтажных операций допускается не более двух перепаек выводов микросхем. Температура пайки при монтаже микросхемы не более 265°С, продолжительность пайки вывода не более 3 с, интервал между пайками соседних выводов - 10 с. Расстояние от корпуса до места пайки на менее 1 мм.

        При монтаже микросхемы рекомендуется предусматривать наименьшую длину выводов навесных элементов для уменьшения влияния паразитных связей. Замену микросхемы необходимо производить только при отключенном источнике питания.



Литература

Микросхемы для бытовой радиоаппаратуры: Справочник /И. В. Новачек, В. М. Петухов, И. П. Блудов, А. В. Юровский. - Москва: КУБК-а, 1995г. - 384с.:ил.

Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги: Справочник. Том 2./А. В. Нефедов. - М.:КУБК-а, 1996г. - 640с.:ил.

Аналоговые интегральные микросхемы: Справочник /А .Л. Булычев, В. И. Галкин, В. А. Прохоренко. - 2-е издание, переработанное и дополненное - Минск: Беларусь, 1993г. - 382с.


Навигатор: QRZ.RU > Радиолюбительская справочники > Справочник по отечественным микросхемам