СХЕМЫ И ДОКУМЕНТАЦИЯ

High-End УМЗЧ на полевых транзисторах HEXFET Карела Бартона (350 Вт)

Описание: Карел Бартон построил свой High-End УМЗЧ (рис. 2.2) на полевых транзисторах с гексагональной структурой (HEXFET фирмы International Rectifier). Входные каскады выполнены на дискретных биполярных транзисторах с использованием симметричной дифференциально-каскодной схемотехники (Т1—Т12) с активными генераторами тока (Т14, Т16, Т18, Т19). Благодаря этому практически устранены проявления нелинейности, связанные с зависимостью коэффициента передачи и емкостей р-п-переходов от тока коллектора и ...

Категории:

Информация о файле

Размер файла:
кб.
Последнее обновление:
16.11.2016 21:21:47
Сложность схемы:
нет информации
Файл запрашивали:
1269 раз(а)

Похожие схемы

Название Категории
Сверхлинейный УМЗЧ класса High-End на транзисторах (80Вт)
16.11.2016 21:22
Аудиотехника >> Схемы транзисторных УНЧ
High-End УМЗЧ Джованни Сточино (100 Вт)
16.11.2016 21:21
Аудиотехника >> Схемы транзисторных УНЧ
Малошумящий High-End предусилитель на транзисторах
16.11.2016 21:50
Аудиотехника >> Предусилители
УМЗЧ Иштвана Урбана на четырех парах HEXFET
16.11.2016 21:21
Аудиотехника >> Схемы транзисторных УНЧ
Широкополосный УМЗЧ на полевых транзисторах (10Вт )
16.11.2016 21:22
Аудиотехника >> Схемы транзисторных УНЧ


Просмотров всего 5,446, сегодня 2

Рейтинг читателей этой схемы

Рейтинг 5.00 баллов на основе 1 мнения
Отлично
 1
100%
Хорошо
 0
0%
Потянет
 0
0%
Неприятно
 0
0%
Негативный
 0
0%

Инженерный форум QRZ.RU

Обсуждение этой схемы - Скажите свое мнение!
Пока еще нет ни одного отзыва. Станьте первым и опубликуйте свое мнение!

Обсуждение этой схемы - Скажите свое мнение!