Описание: Описание: Представлен простой (всего 2 или 4 измерения), и довольно точный метод определения термостабильной точки на характеристике полевого транзистора с P/N переходом, а также других его параметров как: максимальные ток и крутизна, ток и крутизна в термостабильной точке, определение номинала сопротивления в истоке и крутизны транзистора при заданном токе стока.
Метод может быть полезен при подборе близких по параметрам пар ранзисторов и в других случаях. Предлагается способ определения величины индуктивности и паразитной емкости катушки, последнюю из которых невозможно определить измерителями LC, также расчёт P-контура, аттенюаторов P и T типа. Всё это с помощью таблиц Excel.
Материал исправлен и дополнен от предыдущей версии.